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協同系統晶片開發流程己發展至 45 奈米的新境界
—完全整合(註1)最新的 ArF浸沒技術 —
[東京, 2006年8月3日] — 松下電氣工程有限公司(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.)和瑞蕯科技公司(Renesas Technology))今天共同宣布成功整合測試45奈米的系統晶片(SoC,system-on-chip)半導體製造技術。此項流程技術是產業首創完全整合氬氟 ArF (argon-fluoride) 浸沒式掃瞄器(註2)與光隙數值1.0或更高的技術。此兩家公司在2005年10月開始合作45奈米的製程開發計畫，同時兩家公司自1998 年即開始合作前一代的生產製程開發計畫。
目前的聯合開發計畫將於 2007年6月結束，同時預計於2008年初開始量產。全新45奈米製程將由松下和瑞蕯共同使用，生產高階行動產品和消費性網路電子產品之系統晶片。除了高階的氬氟浸沒微影技術外，兩家公司也計畫引進其他新技術，使其成為開發計畫之一部份，包含引流高移動電晶體(註3)和ELK (K = 2.4)多層次線路模組(註4)
兩家公司首先同意在1998年共同合作開發下一世代系統晶片技術，當時甚至瑞蕯科技尚未成立。新產品是雙方第五階段合作之一部份，計畫開始於2005年10月。雙方共同開發計畫中最顯著的成就包含在2001年完成130奈米的DRAM合併製程、2002年的90奈米系統晶片製程、2004年的90奈米DRAM合併製程，和2006年的 65奈米系統晶片製程。
未來松下和瑞蕯將持續合作，基於彼此的信任、聯合分配發資源和共享技術資訊，有效開發高階技術，累積技術能量，形成絕佳之合作關係。
附註：
1. 完全整合：指完全整合生產技術至晶圓製程中，而非限制整合個別單一模組。
2. 氬氟 ArF (argon-fluoride) 浸沒式掃瞄器：藉由液體填滿投射鏡片和晶圓間之空隙，增加鏡片有效直徑之技術。
3. 引流高移動電晶體：藉由引進本地壓力至電晶體中，增加電流容量之技術。
4. LK (K = 2.4)多層次線路模組：利用低相關電容率的層間絕緣薄膜，進行多層銅線繞線之技術。
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